|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 22 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
Molecular beam epitaxy growth of GaN, AlN and InN |
| Auteur: |
Wang, Xinqiang Yoshikawa, Akihiko |
| Verschenen in: |
Progress in crystal growth and characterization of materials |
| Paginering: | Jaargang 48-49 (2004) nr. C pagina's 62 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 22 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |