|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 9 gevonden artikelen
| Titel: |
An aberration-corrected STEM study of structural defects in epitaxial GaN thin films grown by ion beam assisted MBE |
| Auteur: |
Poppitz, David Lotnyk, Andriy Gerlach, Jürgen W. Lenzner, Jörg Grundmann, Marius Rauschenbach, Bernd |
| Verschenen in: |
Micron |
| Paginering: | Jaargang 73 (2015) nr. C pagina's 8 p. |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 9 gevonden artikelen
| volgende >> |