|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 38 gevonden artikelen
| Titel: |
Capacitance–voltage behaviour of Schottky diodes fabricated on p-type silicon for radiation-hard detectors |
| Auteur: |
Moloi, S.J. McPherson, M. |
| Verschenen in: |
Radiation physics and chemistry |
| Paginering: | Jaargang 85 (2013) nr. C pagina's 10 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 38 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |