|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7 van 23 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of degree of order of silicon dioxide on localization processes of non-equilibrium charge carriers under the influence of gamma-radiation |
| Auteur: |
Garibov, A.A. Velibekova, G.Z. Agaev, T.N. |
| Verschenen in: |
Radiation physics and chemistry |
| Paginering: | Jaargang 54 (1999) nr. 2 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7 van 23 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |