|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 56 van 57 gevonden artikelen
| Titel: |
The study of 1MeV electron irradiation induced defects in N-type and P-type monocrystalline silicon |
| Auteur: |
Babaee, S. Ghozati, S.B. |
| Verschenen in: |
Radiation physics and chemistry |
| Paginering: | Jaargang 141 (2017) nr. C pagina's 98-102 |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 56 van 57 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |