|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Interpretation of 60Co radiation effects in metal-oxide semiconductors in terms of the mobility and interface trap density with a drain current-gate voltage model |
| Auteur: |
Changshi, Liu Jianxin, Zhang |
| Verschenen in: |
Applied radiation and isotopes |
| Paginering: | Jaargang 139 () nr. C pagina's 7-11 |
| Jaar: |
2018 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Ltd |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |