|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Electronic structure and optical gain of InAsSbN/InAs quantum dots |
| Auteur: |
Chen, J. Fan, W.J. Xu, Q. Zhang, X.W. |
| Verschenen in: |
Computational materials science |
| Paginering: | Jaargang 49 (2010) nr. 1S pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |