|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region |
| Auteur: |
Hanajiri, T Aoto, K Hoshino, T Niizato, M Nakajima, Y Toyabe, T Morikawa, T Sugano, T Akagi, Y |
| Verschenen in: |
Computational materials science |
| Paginering: | Jaargang 30 (2004) nr. 3-4 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
2004 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |