|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 15 van 32 gevonden artikelen
| Titel: |
Feasibility of crystalline isostructural X2Sb2Te5 (X=Ge, Si) phase change materials in memory storage devices: First principles calculations |
| Auteur: |
Talreja, Sonal Sharma, Khushboo Ahuja, B.L. |
| Verschenen in: |
Computational materials science |
| Paginering: | Jaargang 121 (2016) nr. C pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 15 van 32 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |