|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 2 van 10 gevonden artikelen
| Titel: |
Formation of qualified epitaxial graphene on Si substrates using two-step heteroexpitaxy of C-terminated 3C-SiC(-1-1-1) on Si(110) |
| Auteur: |
Sambonsuge, Shota Jiao, Sai Nagasawa, Hiroyuki Fukidome, Hirokazu Filimonov, Sergey N. Suemitsu, Maki |
| Verschenen in: |
Diamond and related materials |
| Paginering: | Jaargang 67 (2016) nr. C pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 2 van 10 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |