|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 33 gevonden artikelen
| Titel: |
Changes of chemical structure of hydrogenated amorphous silicon carbide films with the application of radio-frequency bias voltages during chemical vapor deposition |
| Auteur: |
Ito, Haruhiko Ogaki, Takeshi Kumakura, Motoki Saeki, Shunsuke Suzuki, Tsuneo Akasaka, Hiroki Saitoh, Hidetoshi |
| Verschenen in: |
Diamond and related materials |
| Paginering: | Jaargang 66 (2016) nr. C pagina's 1-9 |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 33 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |