|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| Titel: |
The effects of process pressure and microwave power on the properties of boron-doped SiC: H films prepared using the ECR-CVD technique |
| Auteur: |
Yoon, S.F. Ji, R. Ahn, J. Milne, W.I. |
| Verschenen in: |
Diamond and related materials |
| Paginering: | Jaargang 5 (1996) nr. 11 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science S.A. All rights reserved |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 23 van 24 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |