|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13 van 52 gevonden artikelen
| Titel: |
Depth profiles of the Fermi level at an amorphous-carbon nitride/SiO2/n-type-Si heterojunction interface obtained by Kelvin probe force microscopy |
| Auteur: |
Ishizaki, Takahiro Saito, Nagahiro Ohta, Riichiro Takai, Osamu |
| Verschenen in: |
Diamond and related materials |
| Paginering: | Jaargang 15 (2006) nr. 9 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13 van 52 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |