|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 71 gevonden artikelen
| Titel: |
High breakdown voltage of boron-doped diamond metal semiconductor field effect transistor grown on freestanding heteroepitaxial diamond substrate |
| Auteur: |
Choi, Uiho Kwak, Taemyung Han, Sanghoon Kim, Seong-Woo Nam, Okhyun |
| Verschenen in: |
Diamond and related materials |
| Paginering: | Jaargang 121 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2022 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 71 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |