|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 16 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
Direct band gap In x Ga1− x As/Ge type II strained quantum wells for short-wave infrared p–i–n photodetector |
| Auteur: |
Harbi, N. Sfina, N. Jbeli, A. Lazzari, J.-L. Said, M. |
| Verschenen in: |
Optical materials |
| Paginering: | Jaargang 46 () nr. C pagina's 472-480 |
| Jaar: |
2015 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 16 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |