|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 36 gevonden artikelen
| Titel: |
N-polar AlN nucleation layers grown by hot-wall MOCVD on SiC: Effects of substrate orientation on the polarity, surface morphology and crystal quality |
| Auteur: |
Zhang, Hengfang Paskov, Plamen P. Kordina, Olof Chen, Jr-Tai Darakchieva, Vanya |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 580 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2020 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 36 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |