|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 14 gevonden artikelen
| Titel: |
Impacts of growth orientation and N incorporation on the interface-states and the electrical characteristics of Cu/GaAsN Schottky barrier diodes |
| Auteur: |
Dong, Chen Han, Xiuxun Li, Jian Gao, Xin Ohshita, Yoshio |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 527 (2017) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2017 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 14 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |