|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 29 van 29 gevonden artikelen
| Titel: |
Verification of Fowler–Nordheim electron tunneling mechanism in Ni/SiO2/n-4H SiC and n + poly-Si/SiO2/n-4H SiC MOS devices by different models |
| Auteur: |
Kodigala, Subba Ramaiah |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 500 (2016) nr. C pagina's 9 p. |
| Jaar: |
2016 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 29 van 29 gevonden artikelen
| << vorige |