|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 41 van 46 gevonden artikelen
| Titel: |
The improved resistive switching properties of TaO x -based RRAM devices by using WN x as bottom electrode |
| Auteur: |
Zhou, Qigang Zhai, Jiwei |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 410 (2013) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2013 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 41 van 46 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |