|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 56 van 68 gevonden artikelen
| Titel: |
Study of deep level defects in doped and semi-insulating n-6H-SiC epilayers grown by sublimation method |
| Auteur: |
Asghar, M. Iqbal, F. Faraz, S.M. Jokubavicius, V. Wahab, Q. Syväjärvi, M. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 407 (2012) nr. 15 pagina's 3 p. |
| Jaar: |
2012 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 56 van 68 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |