|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 32 van 41 gevonden artikelen
| Titel: |
Radiation effects on silicon bipolar transistors caused by 3–10MeV protons and 20–60MeV bromine ions |
| Auteur: |
Li, Xingji Geng, Hongbin Lan, Mujie Liu, Chaoming Yang, Dezhuang He, Shiyu |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 405 (2010) nr. 6 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2010 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 32 van 41 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |