|
Investigation of structural defects of thick GaN grown by flow-modulated hydride vapor-phase epitaxy |
|
|
|
Titel: |
Investigation of structural defects of thick GaN grown by flow-modulated hydride vapor-phase epitaxy |
Auteur: |
Zhang, Wei Alves, Helder R. Riemann, Till Heuken, M. Veit, Peter Meister, Dirk Kriegseis, Wilhelm Hofmann, Detlev M. Christen, Juergen Meyer, Bruno K. |
Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
Paginering: |
Jaargang 308-310 (2001) nr. C pagina's 4 p. |
Jaar: |
2001 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|