|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 306 van 831 gevonden artikelen
| Titel: |
High gamma dose induced damage on two types of discrete JFET transistors |
| Auteur: |
Assaf, J. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 404 (2009) nr. 1 pagina's 6 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 306 van 831 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |