|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 8020 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of electrically active defects of silicon carbide using atomistic scale modeling and simulation |
| Auteur: |
Chatterjee, Aveek Bhat, Asha Matocha, Kevin |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 401-402 (2007) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2007 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 8020 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |