|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4644 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Electrical transport properties of unintentionally doped GaN crystals with dominant point defects |
| Auteur: |
Zhang, Ying-Wu Dong, Zeng-Yin Gao, Kuang-Hong Yang, Yang Li, Zhi-Qing |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 710 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2025 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4644 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |