Details van artikel 1558 van 18303 gevonden artikelen
Central-cell corrections for hydrogenic, silicon (Si), selenium (Se), sulfur (S), and germanium (Ge) donor impurities and pressure–temperature effects on the optical properties of the GaAs/GaAlAs multi-layer quantum disk
Titel:
Central-cell corrections for hydrogenic, silicon (Si), selenium (Se), sulfur (S), and germanium (Ge) donor impurities and pressure–temperature effects on the optical properties of the GaAs/GaAlAs multi-layer quantum disk
Auteur:
Fakkahi, A. Başer, P. Jaouane, M. Sali, A. Ed-Dahmouny, A. El-Bakkari, K. Arraoui, R. Azmi, H.
Verschenen in:
Physica. B, Condensed matter
Paginering:
Jaargang 681 () nr. C pagina's p.
Jaar:
2024
Inhoud:
Uitgever:
Elsevier B.V.
Bronbestand:
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften
Details van artikel 1558 van 18303 gevonden artikelen