|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13780 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Second-order generation of point defects in highly irradiated float zone silicon—annealing studies |
| Auteur: |
Pintilie, I. Fretwurst, E. Kramberger, G. Lindstroem, G. Li, Z. Stahl, J. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 340-342 (2003) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2003 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13780 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |