|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 13599 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Role of the defect microstructure on the electrical transport properties in undoped and Si-doped GaN grown by LP-MOVPE |
| Auteur: |
Farvacque, J.-L Bougrioua, Z Moerman, I Van Tendeloo, G Lebedev, O |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 273-274 (1999) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 13599 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |