|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 7999 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Investigation of back gate interface states by drain current hysteresis in PD-SOI n-MOSFETs |
| Auteur: |
Hayama, K. Takakura, K. Okada, S. Kudou, T. Ohyama, H. Rafí, J.M. Martino, J.A. Mercha, A. Simoen, E. Claeys, C. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 376-377 (2006) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 7999 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |