|
Effect of deep levels and interface states on the minority carrier lifetime control of trench-IGBTs by electron irradiation |
|
|
|
Titel: |
Effect of deep levels and interface states on the minority carrier lifetime control of trench-IGBTs by electron irradiation |
Auteur: |
Nakabayashi, M. Ohyama, H. Shitogiden, H. Ueno, R. Miyagawa, Y. Hirao, T. Shigaki, K. Kudou, T. Simoen, E. Claeys, C. |
Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
Paginering: |
Jaargang 376-377 (2006) nr. C pagina's 4 p. |
Jaar: |
2006 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|