|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1297 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Behavior of electrically active point defects in irradiated MOCVD n-GaN |
| Auteur: |
Emtsev, V.V Davydov, V.Yu Kozlovskii, V.V Poloskin, D.S Smirnov, A.N Shmidt, N.M Usikov, A.S |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 273-274 (1999) nr. C pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1999 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1297 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |