|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 52 van 115 gevonden artikelen
| Titel: |
Hot-electron induced impact-ionisation damage at the interface of sub-micron silicon MOS devices: Model and monitor |
| Auteur: |
Das, A.G.M. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 404 (2009) nr. 22 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 52 van 115 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |