|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 12909 van 18303 gevonden artikelen
| Titel: |
Production of vacancy defects in high-energy Sn-ion irradiated GaN—Positron beam Doppler broadening study |
| Auteur: |
Premchander, P. Abhaya, S. Sivaji, K. Amarendra, G. Baskar, K. Lee, Y.T. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 376-377 (2006) nr. C pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2006 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 12909 van 18303 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |