|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 100 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing behaviour of In impurities in SiC after ion implantation |
| Auteur: |
Meier, J. Achtziger, N. Licht, T. Uhrmacher, M. Witthuhn, W. |
| Verschenen in: |
Physica. B, Condensed matter |
| Paginering: | Jaargang 185 (1993) nr. 1-4 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1993 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 100 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |