|
Influence of deposition power of PECVD intrinsic a-Si:H buffer layer on n+ poly-Si/SiO x /c-Si passivating contacts |
|
|
|
Titel: |
Influence of deposition power of PECVD intrinsic a-Si:H buffer layer on n+ poly-Si/SiO x /c-Si passivating contacts |
Auteur: |
Yao, Zhirong Si, Wanyu Zhao, Yingwen Moya, Paul Procel Özkol, Engin Yang, Guangtao Gonugunta, Prasad Anusuyadevi, Prasaanth Ravi Taheri, Peyman Isabella, Olindo |
Verschenen in: |
Solar energy materials and solar cells |
Paginering: |
Jaargang 290 () nr. C pagina's p. |
Jaar: |
2025 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
The Authors |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|