|
Epitaxial lift-off of InGaAs solar cells from InP substrate using a strained AlAs/InAlAs superlattice as a novel sacrificial layer |
|
|
|
Titel: |
Epitaxial lift-off of InGaAs solar cells from InP substrate using a strained AlAs/InAlAs superlattice as a novel sacrificial layer |
Auteur: |
Chancerel, F. Regreny, P. Leclercq, J.L. Brottet, S. Volatier, M. Jaouad, A. Darnon, M. Fafard, S. Blanchard, N.P. Gendry, M. Aimez, V. |
Verschenen in: |
Solar energy materials and solar cells |
Paginering: |
Jaargang 195 (2019) nr. C pagina's 204-212 |
Jaar: |
2019 |
Inhoud: |
|
Uitgever: |
Elsevier B.V. |
Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
|
|
|
|