|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 61 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Ultrathin GaN/AlN/GaN solution-gate field effect transistor with enhanced resolution at low source-gate voltage |
| Auteur: |
Encabo, A. Bengoechea Howgate, J. Stutzmann, M. Eickhoff, M. Sánchez-García, M.A. |
| Verschenen in: |
Sensors and Actuators. B, Chemical |
| Paginering: | Jaargang 142 (2009) nr. 1 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2009 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 61 van 61 gevonden artikelen
| << vorige |