|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 34 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Observation of ion-induced changes in the channel current of high electron mobility AlGaN/GaN transistors (HEMT) |
| Auteur: |
Neuberger, Ralph Müller, Gerhard Eickhoff, Martin Ambacher, Oliver Stutzmann, Martin |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 93 (2002) nr. 1-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 34 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |