|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 19 van 51 gevonden artikelen
| Titel: |
Growth of GaN layers on SiC/Si(111) substrate by molecular beam epitaxy |
| Auteur: |
Ristic, J Sánchez-Garcı́a, M.A Calleja, E Pérez-Rodrı́guez, A Serre, C Romano-Rodrı́guez, A Morante, J.R Koegler, V.R Skorupa, W |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 93 (2002) nr. 1-3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2002 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 19 van 51 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |