|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 18 gevonden artikelen
| Titel: |
Depth profile and annealing behavior study of 350 keV Bi+ ions implanted into LiNbO3 |
| Auteur: |
Chen, Feng Hu, Hui Zhang, Jian-Hua Liu, Xiang-Dong Shi, Bo-Rong Lu, Fei Wang, Ke-Ming |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 86 (2001) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 18 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |