|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 5 van 90 gevonden artikelen
| Titel: |
Annealing study of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor and carbon-doped p+GaAs base layers |
| Auteur: |
Moriarty, G.R. Murtagh, M. Cherkaoui, K. Gouez, G. Kelly, P.V. Crean, G.M. Bland, S.W. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 80 (2001) nr. 1-3 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
2001 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 5 van 90 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |