|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 6 van 66 gevonden artikelen
| Titel: |
Characterization of GaN epitaxial layers on SiC substrates with Al x Ga1−x N buffer layers |
| Auteur: |
Lin, C.F Cheng, H.C Feng, M.S Chi, G.C |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 50 (1997) nr. 1-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science S.A. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 6 van 66 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |