|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 9 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Measurement of mobility profile in GaAs MESFETs by Schottky barrier technique with gate current correction |
| Auteur: |
Qi, Xiang Lichun, Wang Jinsheng, Luo |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 5 (1989) nr. 1 pagina's 5 p. |
| Jaar: |
1989 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 9 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |