|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 21 van 84 gevonden artikelen
| Titel: |
Effect of ion doping on the electrical and luminescent properties of 4H-SiC epitaxial p-n junctions |
| Auteur: |
Kalinina, E.V. Kholujanov, G.F. Zubrilov, A.S. Tsvetkov, D.V. Vatnik, M.P. Soloviev, V.A. Tretjakov, V.D. Kong, H. Dmitriev, V.A. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 46 (1997) nr. 1-3 pagina's 4 p. |
| Jaar: |
1997 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science S.A. All rights reserved. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 21 van 84 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |