|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 16 gevonden artikelen
| Titel: |
Doping and microwave power effects on the properties of a-SiC:H and μc-SiC:H films prepared using ECR-CVD |
| Auteur: |
Yoon, S.F. Ji, R. Ahn, J. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 41 (1996) nr. 2 pagina's 7 p. |
| Jaar: |
1996 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier Science S.A. All rights reserved |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 16 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |