|
| << vorige |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 61 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
Tunability of the electronic structure of GaN third generation semiconductor for enhanced band gap: The influence of B concentration |
| Auteur: |
Zhu, Jiaxin Pan, Yong |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 308 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 61 van 61 gevonden artikelen
| << vorige |