|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 4 van 61 gevonden artikelen
| Titel: |
2.5 A/mm/350 GHz aggressively scaled gate engineered Fe-doped AlN/GaN channel HEMT with graded InGaN Backbarrier on SiC-wafer for next generation RF power electronics applications |
| Auteur: |
Mounika, B. Ajayan, J. Bhattacharya, Sandip |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 301 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2024 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 4 van 61 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |