|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 3 van 15 gevonden artikelen
| Titel: |
Defects in GaAs after Si indiffusion and annealing: A TEM and CL study |
| Auteur: |
Herzog, L. Egger, U. Breitenstein, O. Hettwer, H.-G. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 30 (1995) nr. 1 pagina's 11 p. |
| Jaar: |
1995 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 3 van 15 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |