|
| volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 1 van 39 gevonden artikelen
| Titel: |
Analysis of Channel length, Gate length and Gate position Optimization of III-Nitride/β-Ga2O3 Nano-HEMT for High-Power Nanoelectronics and Terahertz Applications |
| Auteur: |
Purnachandra Rao, G. Ranjan Lenka, Trupti Pham Trung Nguyen, Hieu |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 293 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 1 van 39 gevonden artikelen
| volgende >> |