|
| << vorige | volgende >> |
Tijdschrift beschrijving
Alle jaargangen van het bijbehorende tijdschrift
Alle afleveringen van het bijbehorende jaargang
Alle artikelen van de bijbehorende aflevering
Details van artikel 26 van 57 gevonden artikelen
| Titel: |
Epitaxial n +-Ge/p +-Si(001) heterostructures with ultra sharp doping profiles for light emitting diode applications |
| Auteur: |
Titova, A.M. Shengurov, V.G. Filatov, D.O. Denisov, S.A. Chalkov, V.Yu. Ved', M.V. Zaitzev, A.V. Sushkov, A.A. Alyabina, N.A. |
| Verschenen in: |
Materials science and engineering. B, Solid-state materials for advanced technology |
| Paginering: | Jaargang 289 () nr. C pagina's p. |
| Jaar: |
2023 |
| Inhoud: | |
| Uitgever: |
Published by Elsevier B.V. |
| Bronbestand: |
Elektronische Wetenschappelijke Tijdschriften |
Details van artikel 26 van 57 gevonden artikelen
| << vorige | volgende >> |